? 電接觸發(fā)熱是電氣火災(zāi)重要成因之一，在火災(zāi)事故調(diào)查工作中比較多見(jiàn)。電接觸痕跡的形成原因多種多樣，只有深入查清其痕跡形成原因，才能做出科學(xué)的、有實(shí)際意義的論斷。
??? 能夠引發(fā)火災(zāi)的電接觸焦耳熱，是由于電流的熱效應(yīng)引起的，它按Ｉ２Ｒ的規(guī)律放熱。焦耳熱的公式說(shuō)明，發(fā)熱主要由兩個(gè)因素組成，即電流和電阻，均屬電氣物理量。在現(xiàn)場(chǎng)勘查中發(fā)現(xiàn)電接觸熔痕后，應(yīng)進(jìn)一步查找熔痕形成的原因和客觀(guān)上具備的條件，只有在痕跡現(xiàn)象與痕跡形成原因基本上沒(méi)有矛盾，且符合客觀(guān)條件的情況下，才可做出結(jié)論。例如在一起火場(chǎng)勘查中，發(fā)現(xiàn)插頭上的兩個(gè)插片熔掉一半，整個(gè)插座和木槽板及導(dǎo)線(xiàn)被燒，附近兩臺(tái)儀表也被燒毀，從痕跡上可以斷定為插頭接觸不良，接觸電阻過(guò)大、過(guò)熱引起火災(zāi)。但在查找中發(fā)現(xiàn)該電源線(xiàn)與調(diào)壓器連接，且調(diào)壓器里邊的扼流圈被燒毀。同時(shí)查明是因?yàn)橛幸粋€(gè)電子管故障導(dǎo)致扼流圈過(guò)熱短路，短路的非正常電流激發(fā)了本來(lái)已處于嚴(yán)重惡化狀態(tài)的插銷(xiāo)過(guò)熱起火。此案例中插頭與插座接觸發(fā)熱熔化引起火災(zāi)是由電流、電阻兩個(gè)因素之一或兩個(gè)因素同時(shí)決定的。而在實(shí)際 勘查過(guò)程中，對(duì)于這種痕跡物證，往往歸結(jié)為插頭、插座接觸不良或接觸電阻過(guò)大、過(guò)熱引起的，而忽略了電流作用的因素。而此案例中插頭的熔化痕跡正是短路的大電流作用的結(jié)果。所以對(duì)于現(xiàn)場(chǎng)中發(fā)現(xiàn)的痕跡物證不能輕易地下結(jié)論，必須進(jìn)行全面、細(xì)致的勘查，查清其形成原因，才能得出客觀(guān)、正確的結(jié)論。

　　下面對(duì)影響接觸電阻發(fā)熱的因素進(jìn)行分析：

１ 接觸電阻

　　接觸電阻Ｒｊ由兩部分組成，即收縮電阻Ｒｓ和表面膜電阻Ｒｂ。收縮電阻是電流在流經(jīng)電接觸區(qū)域時(shí)，從原來(lái)截面較大的導(dǎo)體突然轉(zhuǎn)入截面很小的接觸點(diǎn)，電流發(fā)生劇烈收縮現(xiàn)象，此現(xiàn)象所呈現(xiàn)的附加電阻稱(chēng)為收縮電阻。表面膜電阻為在電接觸的接觸面上，由于污染而覆蓋著一層導(dǎo)電性很差的物質(zhì)，這就是接觸電阻的另一部分——膜電阻。很多現(xiàn)場(chǎng)勘查人員對(duì)插片、插座燒毀的痕跡習(xí)慣歸結(jié)為接觸不良、接觸電阻過(guò)大所致，其實(shí)導(dǎo)致接觸電阻增大有很多原因。
１．１ 接觸形式
　　接觸電阻的形式可分為三類(lèi)：點(diǎn)接觸、線(xiàn)接觸和面接觸。接觸形式對(duì)收縮電阻Ｒｓ的影響主要表現(xiàn)在接觸點(diǎn)的數(shù)目上。一般情況下，面接觸的接觸點(diǎn)數(shù)ｎ最大而Ｒｓ最??；點(diǎn)接觸則ｎ最小，Ｒｓ最大；線(xiàn)接觸則介于兩者之間。接觸形式對(duì)膜電阻Ｒｂ的影響主要是看每一個(gè)接觸點(diǎn)所承受的壓力Ｆ。一般情況下，在對(duì)觸頭外加壓力Ｆ相同的情況下，點(diǎn)接觸形式ｎ最小，單位面積承受壓力Ｆ１最大，容易破壞表面膜，所以有可能使Ｒｂ減到最?。环粗?，面接觸的Ｆ１就最小，對(duì)Ｒｂ的破壞力最小，Ｒｂ值有可能最大。在實(shí)際情況中，需要綜合以上兩個(gè)因素，對(duì)接觸電阻的大小進(jìn)行具體的分析判斷。
１．２ 接觸壓力
　　接觸壓力Ｆ對(duì)收縮電阻Ｒｓ值和表面膜電阻Ｒｂ值的影響最大，Ｆ的增加使接觸點(diǎn)的有效接觸面積增大，即接觸點(diǎn)數(shù)ｎ增加，從而使Ｒｓ減小。當(dāng)加大Ｆ超過(guò)一定值時(shí)，可使觸頭表面的氣體分子層吸附膜減少到２～３個(gè)；當(dāng)超過(guò)材料的屈服壓強(qiáng)時(shí)，產(chǎn)生塑性變形，表面膜被壓碎出現(xiàn)裂縫，從而增加了接觸面積，這就使收縮電阻Ｒｓ因表面膜電阻Ｒｂ的減小而下降，Ｒｓ和Ｒｂ同時(shí)減小，從而使接觸電阻大大下降。相反，當(dāng)接觸不到位、接觸觸頭失去了彈性變形等原因使接觸壓力Ｆ下降時(shí)，接觸面積減小，收縮電阻Ｒｓ增大，表面膜電阻Ｒｂ受Ｆ的破壞作用減弱或不受其影響，從而使表面膜電阻Ｒｂ增大。同時(shí)因Ｒｂ增大，使接觸面積減小，從而使Ｒｊ增大，二者的綜合作用使接觸電阻整體上升。